DRAM 廠商合肥長(zhǎng)鑫計(jì)劃百億融資，17nm 技術(shù)研發(fā)年內(nèi)完成!

1日消息 據(jù)科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)今日消息，國(guó)產(chǎn) DRAM 龍頭合肥長(zhǎng)鑫正計(jì)劃進(jìn)行超百億級(jí)別的融資。合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司于 2016 年成立，從事 DRM 內(nèi)存顆粒的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成一座 12 英寸晶圓廠并投產(chǎn)，其生產(chǎn)的 DDR4 內(nèi)存顆粒被威剛、江波龍、臺(tái)電廠商等應(yīng)用。

合肥長(zhǎng)鑫的子公司睿力集成電路有限公司于 2020 年 12 月 14 日實(shí)施了一輪戰(zhàn)略投資，引入安徽國(guó)資、兆易創(chuàng)新、小米長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)基金等投資，總金額高達(dá) 156.50 億元。

 長(zhǎng)鑫內(nèi)存顆粒通過(guò)了包括英特爾與 AMD 主流或最新平臺(tái)進(jìn)行的單通道、雙通道滿載測(cè)試等兼容測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，篩選后的內(nèi)存芯片還具有超頻潛力。目前該公司生產(chǎn)的 DDR4、LPDDR4X 內(nèi)存顆粒采用 19nm 制程工藝制造，最高頻率 3200MHz，2020 年起已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模對(duì)外供貨。

最新消息顯示，合肥長(zhǎng)鑫規(guī)劃 2021 年完成 17nm 技術(shù)研發(fā)，加速向 DDR5 DRAM 產(chǎn)品研發(fā)。